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Desde el punto de vista de la fabricación, probablemente la noticia más importante en el Intel Developer Forum la semana pasada fueron los planes de la compañía para la producción de 10 nm, y particularmente que la compañía ahora estaría ofreciendo acceso a la IP física Artisan de ARM. Esto último es importante porque muestra que los terceros que usan el proceso de 10nm de Intel tendrán acceso a los núcleos ARM Cortex más avanzados y tecnologías relacionadas. Intel anunció que LG Electronics sería su primer cliente de 10 nm; planea construir una plataforma móvil basada en el proceso de Intel. Esto indica que Intel tiene la intención de competir más con TSMC, Samsung y GlobalFoundries en la fabricación de procesadores móviles basados en ARM.
El anuncio vino de Zane Ball, gerente general de Intel Custom Foundry. Lo encontré bastante interesante, pero estaba igualmente intrigado por una presentación que él y el miembro principal de Intel, Mark Bohr, hicieron sobre las tecnologías avanzadas de la compañía.
Bohr habló sobre el progreso que Intel ha logrado en la producción de 10 nm, y dijo que la compañía planea realizar envíos por volumen de sus primeros productos de 10 nm en la segunda mitad del próximo año. Más interesante aún, dijo que para su proceso de 10 nm, la compañía está obteniendo sus mejoras históricas en la escala del paso de la puerta del transistor, y en realidad está viendo una mejor escala lógica del área del transistor (que define como tiempos de paso de la puerta altura de la celda lógica), que históricamente ha sido capaz de hacer cada generación.
Bohr dijo que a medida que la escala se ha ralentizado en algunos de sus competidores, la tecnología de 10 nm de Intel podría estar casi una generación completa por delante de los procesos de 10 nm de las otras fundiciones.
(Parte de esto es una pregunta de nomenclatura, ya que las fundiciones están usando los nombres 14nm, 16nm y 10nm aunque esa medida ya no se refiere a una parte específica del proceso. Tenga en cuenta que TSMC y Samsung ahora prometen que sus 10nm los procesos estarán listos el próximo año, mientras que históricamente han estado detrás de Intel. Realmente no podremos ver qué tan buenos son los procesos hasta que los productos reales estén disponibles, por supuesto).
Ha quedado claro que el tiempo entre nodos parece extenderse, con la cadencia "tic-tac" de un nuevo proceso ahora cada dos años, con cambios en la microarquitectura entre ellos que ya no se aplican. Intel anunció previamente que lanzará una tercera generación de CPU de 14nm este año (Kaby Lake, después de Skylake y Broadwell).
Bohr dijo que la compañía tiene un proceso "14+" que proporciona un aumento del rendimiento del proceso del 12 por ciento. También sugirió que el proceso de 10 nm en realidad vendría en tres tipos, y que admitiría nuevos productos con el tiempo.
Bohr también habló sobre cómo el proceso de 10 nm admitiría una variedad de características, incluidos los transistores diseñados para diseños de alto rendimiento, baja fuga, alto voltaje o analógico, y con una variedad de opciones de interconexión. La compañía no ha revelado cifras de rendimiento real para el próximo chip de 14nm esperado a finales de este año, conocido como Kaby Lake; y ha dicho aún menos para la versión de 10 nm que se espera para el próximo año, conocida como Cannonlake.
Es bueno ver venir el progreso, pero ciertamente es una desaceleración del ritmo que una vez esperábamos. En el Intel Developer Forum en 2013, la compañía dijo que tendría chips de 10 nm que entrarían en producción en 2015 y 7 nm en 2017.
Una cosa que frena la tecnología es la falta de un despliegue exitoso de los sistemas de litografía EUV. EUV es capaz de dibujar líneas más finas porque utiliza luz con una longitud de onda más pequeña que la litografía de inmersión tradicional de 193 nm. Pero hasta la fecha, los sistemas EUV no se han implementado con éxito para la fabricación por volumen, lo que ha llevado a un patrón más doble de la litografía tradicional, que agrega pasos y complejidad.
Bohr ha señalado que EUV no estará listo para la producción de 10 nm, y dijo que Intel está desarrollando su proceso de 7 nm para que sea compatible con todos los procesos tradicionales de litografía de inmersión (con aún más patrones múltiples necesarios) o con EUV en algunas capas. Recientemente le dijo a Semiconductor Engineering que los problemas con EUV son el tiempo de actividad y las obleas por hora, y dijo que si EUV pudiera resolver esos problemas, la fabricación podría hacerse a un costo total más bajo.
En un panel en la conferencia, Bohr señaló que el número de capas de inmersión está aumentando a un ritmo dramático y dijo que espera y espera que a 7 nm, EUV pueda reemplazar o ralentizar el crecimiento de las capas de inmersión.
